Продукція > NEXPERIA > BUK7S1R0-40HJ
BUK7S1R0-40HJ

BUK7S1R0-40HJ NEXPERIA

BUK7S1R0-40H.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7S1R0-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 325
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: LFPAK88
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 880
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+235.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7S1R0-40HJ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BUK7S1R0-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 325, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375, Bauform - Transistor: LFPAK88, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 880, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції BUK7S1R0-40HJ за ціною від 135.9 грн до 355.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BUK7S1R0-40HJ BUK7S1R0-40HJ Виробник : Nexperia buk7s1r0-40h.pdf Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+304.22 грн
10+ 269.96 грн
25+ 264.43 грн
50+ 225.34 грн
100+ 196.49 грн
250+ 186.71 грн
500+ 161.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
BUK7S1R0-40HJ BUK7S1R0-40HJ Виробник : Nexperia BUK7S1R0_40H-2937655.pdf MOSFET BUK7S1R0-40H/SOT1235/LFPAK88
на замовлення 6290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+317.91 грн
10+ 281.31 грн
100+ 200.71 грн
500+ 170.74 грн
1000+ 144.26 грн
2000+ 143.56 грн
10000+ 135.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
BUK7S1R0-40HJ BUK7S1R0-40HJ Виробник : Nexperia buk7s1r0-40h.pdf Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
37+327.62 грн
42+ 290.73 грн
43+ 284.77 грн
50+ 242.67 грн
100+ 211.6 грн
250+ 201.07 грн
500+ 173.93 грн
Мінімальне замовлення: 37
BUK7S1R0-40HJ BUK7S1R0-40HJ Виробник : NEXPERIA BUK7S1R0-40H.pdf Description: NEXPERIA - BUK7S1R0-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 325
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: LFPAK88
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 880
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+355.72 грн
10+ 286.92 грн
100+ 235.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
BUK7S1R0-40HJ Виробник : NEXPERIA buk7s1r0-40h.pdf N-channel 40 V, 1.0 mohm standard level MOSFET
товар відсутній
BUK7S1R0-40HJ Виробник : NEXPERIA buk7s1r0-40h.pdf N-channel 40 V, 1.0 mohm standard level MOSFET
товар відсутній
BUK7S1R0-40HJ Виробник : NEXPERIA BUK7S1R0-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 325A; Idm: 1659A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 325A
Pulsed drain current: 1659A
Power dissipation: 375W
Case: LFPAK88; SOT1235
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
BUK7S1R0-40HJ BUK7S1R0-40HJ Виробник : Nexperia buk7s1r0-40h.pdf Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
товар відсутній
BUK7S1R0-40HJ BUK7S1R0-40HJ Виробник : Nexperia USA Inc. BUK7S1R0-40H.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 325A LFPAK88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 325A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10322 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BUK7S1R0-40HJ BUK7S1R0-40HJ Виробник : Nexperia USA Inc. BUK7S1R0-40H.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 325A LFPAK88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 325A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10322 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BUK7S1R0-40HJ Виробник : NEXPERIA BUK7S1R0-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 325A; Idm: 1659A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 325A
Pulsed drain current: 1659A
Power dissipation: 375W
Case: LFPAK88; SOT1235
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній