![BUK7M9R5-40HX BUK7M9R5-40HX](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/9fb0aed8a059eb87952763bad0f02587792b6f62/sot1210_3d.jpg)
BUK7M9R5-40HX Nexperia
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
28+ | 21.86 грн |
29+ | 21.07 грн |
50+ | 20.27 грн |
100+ | 17.78 грн |
250+ | 17.03 грн |
500+ | 16.3 грн |
1000+ | 14.7 грн |
3000+ | 14.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7M9R5-40HX Nexperia
Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1166 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK7M9R5-40HX за ціною від 15.77 грн до 58.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BUK7M9R5-40HX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BUK7M9R5-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1166 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BUK7M9R5-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1166 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BUK7M9R5-40HX | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
BUK7M9R5-40HX | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
BUK7M9R5-40HX | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
BUK7M9R5-40HX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 38.5A; Idm: 218A; 55W Application: automotive industry Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 38.5A On-state resistance: 18.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 55W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 18nC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 218A Case: LFPAK33; SOT1210 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
BUK7M9R5-40HX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 38.5A; Idm: 218A; 55W Application: automotive industry Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 38.5A On-state resistance: 18.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 55W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 18nC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 218A Case: LFPAK33; SOT1210 |
товар відсутній |