![BUK7M5R0-40HX BUK7M5R0-40HX](https://media.digikey.com/photos/NXP%20Semi%20Photos/MFG_1727;SOT1210;;8_LFPAK33.jpg)
BUK7M5R0-40HX Nexperia USA Inc.
![BUK7M5R0-40H.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1500+ | 55.49 грн |
3000+ | 49.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7M5R0-40HX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 85A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W, Supplier Device Package: LFPAK33, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): +20V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V.
Інші пропозиції BUK7M5R0-40HX за ціною від 34.14 грн до 121.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BUK7M5R0-40HX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 10838 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7M5R0-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 85A, 10V Power Dissipation (Max): 83W Supplier Device Package: LFPAK33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V |
на замовлення 5994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BUK7M5R0-40HX | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BUK7M5R0-40HX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61.7A; Idm: 349A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 61.7A Pulsed drain current: 349A Power dissipation: 83W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 10.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BUK7M5R0-40HX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61.7A; Idm: 349A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 61.7A Pulsed drain current: 349A Power dissipation: 83W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 10.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |