BUK7M3R3-40HX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7M3R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0026 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 70.67 грн |
| 500+ | 58.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7M3R3-40HX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7M3R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0026 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 101W, Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BUK7M3R3-40HX за ціною від 40.64 грн до 122.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK7M3R3-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BUK7M3R3-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BUK7M3R3-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 1415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BUK7M3R3-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 1415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BUK7M3R3-40HX | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK7M3R3-40H/SOT1210/mLFPAK |
на замовлення 3662 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BUK7M3R3-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3037 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BUK7M3R3-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7M3R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0026 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 101W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BUK7M3R3-40HX | Виробник : NXP |
N-MOSFET (Gate Level SL) 40V 3.3mOhm 80A 1.48K/W BUK7M3R3-40H TBUK7m3r3-40h кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
BUK7M3R3-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
BUK7M3R3-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
BUK7M3R3-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
BUK7M3R3-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3037 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| BUK7M3R3-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |