![BUK7M20-40HX BUK7M20-40HX](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/9fb0aed8a059eb87952763bad0f02587792b6f62/sot1210_3d.jpg)
BUK7M20-40HX Nexperia
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1500+ | 19.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7M20-40HX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK7M20-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.0163 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0163ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BUK7M20-40HX за ціною від 14.09 грн до 53.24 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BUK7M20-40HX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7M20-40HX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 2935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7M20-40HX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 2935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7M20-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7M20-40HX | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0163ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7M20-40HX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7M20-40HX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7M20-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7M20-40HX | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0163ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7M20-40HX | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BUK7M20-40HX | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
BUK7M20-40HX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 22A; Idm: 125A; 38W Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 22A On-state resistance: 38.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 10.2nC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 125A Case: LFPAK33; SOT1210 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
BUK7M20-40HX | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
BUK7M20-40HX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 22A; Idm: 125A; 38W Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 22A On-state resistance: 38.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 10.2nC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 125A Case: LFPAK33; SOT1210 |
товар відсутній |