![BUK7M19-60EX BUK7M19-60EX](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/2760361-40.jpg)
BUK7M19-60EX NEXPERIA
![BUK7M19-60E.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: NEXPERIA - BUK7M19-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.015 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1500+ | 28.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7M19-60EX NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 60V 35.8A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK7M19-60EX за ціною від 17.82 грн до 60.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BUK7M19-60EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 2839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7M19-60EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 2839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7M19-60EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 2323 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7M19-60EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7M19-60EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BUK7M19-60EX | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BUK7M19-60EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
BUK7M19-60EX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.3A; Idm: 143A; 55W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Polarisation: unipolar Power dissipation: 55W Gate charge: 17.3nC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 143A Case: LFPAK33; SOT1210 Drain-source voltage: 60V Drain current: 25.3A On-state resistance: 42mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
BUK7M19-60EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
BUK7M19-60EX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.3A; Idm: 143A; 55W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Polarisation: unipolar Power dissipation: 55W Gate charge: 17.3nC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 143A Case: LFPAK33; SOT1210 Drain-source voltage: 60V Drain current: 25.3A On-state resistance: 42mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |