Продукція > NEXPERIA > BUK7M12-40EX
BUK7M12-40EX

BUK7M12-40EX Nexperia


1747299710216089buk7m12-40e.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 48A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+32.91 грн
20+ 31.03 грн
25+ 30.77 грн
100+ 25.22 грн
250+ 23.23 грн
500+ 20.15 грн
1000+ 16.06 грн
Мінімальне замовлення: 19
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7M12-40EX Nexperia

Description: MOSFET N-CH 40V 48A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BUK7M12-40EX за ціною від 17.3 грн до 63.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BUK7M12-40EX BUK7M12-40EX Виробник : Nexperia 1747299710216089buk7m12-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 48A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
362+33.41 грн
365+ 33.14 грн
430+ 28.16 грн
432+ 27.02 грн
500+ 22.61 грн
1000+ 17.3 грн
Мінімальне замовлення: 362
BUK7M12-40EX BUK7M12-40EX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK7M12-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 48A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.56 грн
10+ 49.73 грн
100+ 34.42 грн
500+ 27 грн
Мінімальне замовлення: 6
BUK7M12-40EX BUK7M12-40EX Виробник : Nexperia BUK7M12_40E-1539625.pdf MOSFET BUK7M12-40E/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+63.5 грн
10+ 51.77 грн
100+ 32.89 грн
500+ 27.46 грн
1000+ 25.58 грн
1500+ 20.28 грн
3000+ 18.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
BUK7M12-40EX BUK7M12-40EX Виробник : NEXPERIA 1747299710216089buk7m12-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 48A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R
товар відсутній
BUK7M12-40EX BUK7M12-40EX Виробник : Nexperia 1747299710216089buk7m12-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 48A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товар відсутній
BUK7M12-40EX BUK7M12-40EX Виробник : Nexperia 1747299710216089buk7m12-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 48A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товар відсутній
BUK7M12-40EX Виробник : NEXPERIA BUK7M12-40E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 34A; Idm: 192A; 55W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 192A
Power dissipation: 55W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUK7M12-40EX BUK7M12-40EX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK7M12-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 48A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BUK7M12-40EX Виробник : NEXPERIA BUK7M12-40E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 34A; Idm: 192A; 55W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 192A
Power dissipation: 55W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній