Продукція > NEXPERIA > BUK7E5R2-100E,127

BUK7E5R2-100E,127 NEXPERIA


BUK7E5R2-100E.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7E5R2-100E,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4101 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
300+99.83 грн
Мінімальне замовлення: 300
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7E5R2-100E,127 NEXPERIA

Description: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 349W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: I2PAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11810 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BUK7E5R2-100E,127

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BUK7E5R2-100E,127 BUK7E5R2-100E,127 Виробник : NEXPERIA 3013188707207020buk7e5r2-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
товар відсутній
BUK7E5R2-100E,127 BUK7E5R2-100E,127 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK7E5R2-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BUK7E5R2-100E,127 BUK7E5R2-100E,127 Виробник : Nexperia BUK7E5R2-100E-1319886.pdf MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
товар відсутній