BUK764R0-55B,118 Nexperia
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 126.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK764R0-55B,118 Nexperia
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6776 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK764R0-55B,118 за ціною від 95.44 грн до 226.04 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BUK764R0-55B,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6776 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BUK764R0-55B,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6776 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BUK764R0-55B,118 | Виробник : Nexperia | MOSFETs BUK764R0-55B/SOT404/D2PAK |
на замовлення 674 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BUK764R0-55B,118 | Виробник : NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 55V 193A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BUK764R0-55B,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; Idm: 774A; 300W Kind of package: reel; tape On-state resistance: 8mΩ Drain current: 75A Drain-source voltage: 55V Case: D2PAK; SOT404 Gate charge: 86nC Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 774A Application: automotive industry Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BUK764R0-55B,118 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 193A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BUK764R0-55B,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; Idm: 774A; 300W Kind of package: reel; tape On-state resistance: 8mΩ Drain current: 75A Drain-source voltage: 55V Case: D2PAK; SOT404 Gate charge: 86nC Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 774A Application: automotive industry Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |