![BUK7631-100E,118 BUK7631-100E,118](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3DPAK05-40.jpg)
BUK7631-100E,118 NEXPERIA
![NEXP-S-A0003059977-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0](/images/adobe-acrobat.png)
Description: NEXPERIA - BUK7631-100E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0243 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 96
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 51.13 грн |
500+ | 46.46 грн |
1000+ | 42.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7631-100E,118 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7631-100E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0243 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 96, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0243, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BUK7631-100E,118 за ціною від 42.28 грн до 52.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BUK7631-100E,118 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 96 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 euEccn: NLR Verlustleistung: 96 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0243 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
BUK7631-100E,118 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
BUK7631-100E,118 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 136A; 96W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 24A Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 96W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 84mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
![]() |
BUK7631-100E,118 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
BUK7631-100E,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
BUK7631-100E,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
BUK7631-100E,118 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
BUK7631-100E,118 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 136A; 96W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 24A Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 96W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 84mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |