Технічний опис BUK762R4-60E,118 NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 1036A; 349W, Kind of package: reel; tape, On-state resistance: 5.2mΩ, Drain current: 120A, Drain-source voltage: 60V, Case: D2PAK; SOT404, Gate charge: 158nC, Mounting: SMD, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Type of transistor: N-MOSFET, Pulsed drain current: 1036A, Application: automotive industry, Power dissipation: 349W, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 800 шт.
Інші пропозиції BUK762R4-60E,118
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BUK762R4-60E,118 | Виробник : NEXPERIA |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 1036A; 349W Kind of package: reel; tape On-state resistance: 5.2mΩ Drain current: 120A Drain-source voltage: 60V Case: D2PAK; SOT404 Gate charge: 158nC Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 1036A Application: automotive industry Power dissipation: 349W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
BUK762R4-60E,118 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK |
товару немає в наявності |
|
 |
BUK762R4-60E,118 | Виробник : Nexperia |
MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET |
товару немає в наявності |
|
| BUK762R4-60E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 1036A; 349W Kind of package: reel; tape On-state resistance: 5.2mΩ Drain current: 120A Drain-source voltage: 60V Case: D2PAK; SOT404 Gate charge: 158nC Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 1036A Application: automotive industry Power dissipation: 349W Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |