BUK7214-75B,118 NEXPERIA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 48.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7214-75B,118 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7214-75B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 69 A, 0.0126 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 69A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 158W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 158W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0126ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції BUK7214-75B,118 за ціною від 42.14 грн до 141.5 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK7214-75B,118 | Виробник : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - BUK7214-75B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 69 A, 0.0126 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 158W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BUK7214-75B,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 75V 69A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BUK7214-75B,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 75V 69A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BUK7214-75B,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 75V 69A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BUK7214-75B,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 75V 70A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2612 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BUK7214-75B,118 | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK7214-75B/SOT428/DPAK |
на замовлення 9080 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BUK7214-75B,118 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7214-75B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 69 A, 0.0126 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 158W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 158W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0126ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BUK7214-75B,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 49A; Idm: 276A; 158W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 49A Pulsed drain current: 276A Power dissipation: 158W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
|
|
BUK7214-75B,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 75V 70A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2612 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| BUK7214-75B,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 49A; Idm: 276A; 158W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 49A Pulsed drain current: 276A Power dissipation: 158W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |