BUK6Y61-60PX

BUK6Y61-60PX Nexperia USA Inc.


BUK6Y61-60P.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 60V 25A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK6Y61-60PX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK6Y61-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.048 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Fuse Kits, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BUK6Y61-60PX за ціною від 22.86 грн до 75.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BUK6Y61-60PX BUK6Y61-60PX Виробник : NEXPERIA BUK6Y61-60P.pdf Description: NEXPERIA - BUK6Y61-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.048 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 3690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+41.83 грн
500+ 32.89 грн
1000+ 28.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
BUK6Y61-60PX BUK6Y61-60PX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK6Y61-60P.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 25A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.57 грн
10+ 49.51 грн
100+ 38.51 грн
500+ 30.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
BUK6Y61-60PX BUK6Y61-60PX Виробник : Nexperia BUK6Y61-60P-1839919.pdf MOSFET BUK6Y61-60P/SOT669/LFPAK
на замовлення 23217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.05 грн
10+ 51.93 грн
100+ 36.73 грн
500+ 31.57 грн
1000+ 25.72 грн
1500+ 24.39 грн
3000+ 22.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
BUK6Y61-60PX BUK6Y61-60PX Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0009973853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK6Y61-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.048 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+75.05 грн
15+ 55.59 грн
50+ 41.36 грн
200+ 35.72 грн
500+ 30.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
BUK6Y61-60PX Виробник : NEXPERIA BUK6Y61-60P.pdf BUK6Y61-60PX SMD P channel transistors
товар відсутній