![BUK6Y24-40PX BUK6Y24-40PX](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2228/MFG_LFPAK56_POWER-SO8_SOT669.jpg)
BUK6Y24-40PX Nexperia USA Inc.
![BUK6Y24-40P.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET P-CH 40V 39A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1500+ | 23.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK6Y24-40PX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK6Y24-40PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 39 A, 0.019 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 66, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66, Bauform - Transistor: LFPAK56, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BUK6Y24-40PX за ціною від 23 грн до 82.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BUK6Y24-40PX | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 66 Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK6Y24-40PX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 10443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK6Y24-40PX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 51685 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK6Y24-40PX | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 66 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 euEccn: NLR Verlustleistung: 66 Bauform - Transistor: LFPAK56 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK6Y24-40PX | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BUK6Y24-40PX | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BUK6Y24-40PX | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
BUK6Y24-40PX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -27A; Idm: -155A; 66W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -27A Pulsed drain current: -155A Power dissipation: 66W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BUK6Y24-40PX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -27A; Idm: -155A; 66W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -27A Pulsed drain current: -155A Power dissipation: 66W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |