на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 36+ | 9.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK6D120-60PX NEXPERIA
Description: MOSFET P-CH 60V 3A/8A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK6D120-60PX за ціною від 8.12 грн до 35.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BUK6D120-60PX | Виробник : NEXPERIA |
 Trans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BUK6D120-60PX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BUK6D120-60PX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK6D120-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.095 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 26892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BUK6D120-60PX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 3220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BUK6D120-60PX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BUK6D120-60PX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 60V 3A/8A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BUK6D120-60PX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK6D120-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.095 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 26892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BUK6D120-60PX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 3220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BUK6D120-60PX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BUK6D120-60PX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs BUK6D120-60P/SOT1220/SOT1220 |
на замовлення 14817 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BUK6D120-60PX | Виробник : NXP |
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; +/-20V; 120mOhm; 8A; 15W; -55°C~175°C; Substitute: BUK6D120-60PX; BUK6D120-60PZ; BUK6D120-60PX TBUK6d120-60px кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 290 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
BUK6D120-60PX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| BUK6D120-60PX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -5.1A; Idm: -32A; 15W Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.1A Pulsed drain current: -32A Power dissipation: 15W Case: DFN2020MD-6; SOT1220 On-state resistance: 256mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
|
|
BUK6D120-60PX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 60V 3A/8A 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| BUK6D120-60PX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -5.1A; Idm: -32A; 15W Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.1A Pulsed drain current: -32A Power dissipation: 15W Case: DFN2020MD-6; SOT1220 On-state resistance: 256mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |