![BTS282ZE3180AATMA2 BTS282ZE3180AATMA2](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/41a43bad1e0c2ac2c7a32f51a5a469881bb87a44/p-pg-to220-7-12.jpg)
BTS282ZE3180AATMA2 Infineon Technologies
![bts282z_ds_13.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Trans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 332.76 грн |
2000+ | 329.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BTS282ZE3180AATMA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V, FET Feature: Temperature Sensing Diode, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-1, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції BTS282ZE3180AATMA2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BTS282ZE3180AATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
BTS282ZE3180AATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
BTS282ZE3180AATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
BTS282ZE3180AATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
BTS282ZE3180AATMA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO263-7-1 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 36A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: PG-TO263-7-1 On-state resistance: 6.5mΩ Kind of package: reel; tape Technology: TEMPFET® Operating temperature: -40...175°C Output voltage: 49V Power dissipation: 300W Integrated circuit features: internal temperature sensor кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
BTS282ZE3180AATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V FET Feature: Temperature Sensing Diode Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
![]() |
BTS282ZE3180AATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
BTS282ZE3180AATMA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO263-7-1 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 36A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: PG-TO263-7-1 On-state resistance: 6.5mΩ Kind of package: reel; tape Technology: TEMPFET® Operating temperature: -40...175°C Output voltage: 49V Power dissipation: 300W Integrated circuit features: internal temperature sensor |
товар відсутній |