![BT136-800E,127 BT136-800E,127](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/e610ab167b6fde2ed8e043e5ddf429c0619fcaa4/tyn40-800tq.jpg)
BT136-800E,127 WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
![bt136-800e.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
TRIAC Diode 800V 4A(RMS) 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 16.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BT136-800E,127 WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136-800E,127 - Triac, 800 V, 4 A, TO-220AB, 1 V, 25 A, 15 mA, tariffCode: 85413000, Bauform - Triac: TO-220AB, rohsCompliant: Y-EX, Haltestrom, max.: 15mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A, Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, RMS-Durchlassstrom: 4A, euEccn: NLR, Zündspannung, max.: 1V, Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Thyristormontage: Durchsteckmontage, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BT136-800E,127 за ціною від 11.67 грн до 55.43 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BT136-800E,127 | Виробник : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BT136-800E,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() ![]() Description: Triac; 800V; 4A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 4A Case: TO220AB Gate current: 10/25mA Max. forward impulse current: 25A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: tube |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BT136-800E,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() |
на замовлення 546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BT136-800E,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() ![]() Description: Triac; 800V; 4A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 4A Case: TO220AB Gate current: 10/25mA Max. forward impulse current: 25A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BT136-800E,127 | Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85413000 Bauform - Triac: TO-220AB rohsCompliant: Y-EX Haltestrom, max.: 15mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 RMS-Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Thyristormontage: Durchsteckmontage Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BT136-800E,127 | Виробник : Ween |
![]() |
на замовлення 4300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
BT136-800E,127 | Виробник : WEEN |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BT136-800E,127 | Виробник : WeEn Semiconductors Co., Ltd |
![]() |
на замовлення 1046 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BT136-800E.127 Код товару: 63176 |
Тиристори > Тиристори, діністори |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
BT136-800E,127 | Виробник : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BT136-800E,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Operating Temperature: 125°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 25A, 27A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A Voltage - Off State: 800 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BT136-800E.127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() ![]() Description: Triac; 800V; 4A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 4A Case: TO220AB Gate current: 10/25mA Max. forward impulse current: 25A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: tube |
товар відсутній |