BSS87,115 Nexperia USA Inc.
![BSS87.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 200V 400MA SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 580mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 211000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 7.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS87,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BSS87,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 400 mA, 1.6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSS87,115 за ціною від 7.53 грн до 37.53 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS87,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS87,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS87,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS87,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS87,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS87,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS87,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS87,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.2A; 580mW; SC62,SOT89 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.58W Case: SC62; SOT89 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS87,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.2A; 580mW; SC62,SOT89 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.58W Case: SC62; SOT89 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 334 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS87,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 580mW (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V |
на замовлення 211234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS87,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 13163 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS87,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS87,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
BSS87,115 | Виробник : NXP/Nexperia/We-En |
![]() |
на замовлення 95 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSS87,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
BSS87,115 Код товару: 125179 |
![]() |
товар відсутній
|