![BSS84WAHZGT106 BSS84WAHZGT106](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/3341610e018541881183760184b84c9019292e11/rju003n03frat106.jpg)
BSS84WAHZGT106 Rohm Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
772+ | 15.85 грн |
801+ | 15.27 грн |
1000+ | 14.77 грн |
2500+ | 13.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS84WAHZGT106 Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -0.21A, SOT-323, SMALL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 210mA, 10V, Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Supplier Device Package: UMT3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BSS84WAHZGT106 за ціною від 9.06 грн до 36.36 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS84WAHZGT106 | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BSS84WAHZGT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BSS84WAHZGT106 | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BSS84WAHZGT106 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6040 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BSS84WAHZGT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 210mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
BSS84WAHZGT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 210mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |