BSS84T116 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 230MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.76 грн |
| 6000+ | 4.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS84T116 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BSS84T116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 350mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSS84T116 за ціною від 3.34 грн до 24.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS84T116 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - BSS84T116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS84T116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 60V 230MA SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V |
на замовлення 10110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS84T116 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Pch -60V; -0.23A SOT-23 ESD Prot |
на замовлення 8539 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS84T116 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - BSS84T116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSS84T116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BSS84T116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 |
на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BSS84T116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 |
на замовлення 2080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BSS84T116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 |
на замовлення 2420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
BSS84T116 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -230mA; Idm: -0.92A Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.23A Pulsed drain current: -0.92A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSS84T116 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -230mA; Idm: -0.92A Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.23A Pulsed drain current: -0.92A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товару немає в наявності |