![BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327XTSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/4/23/8/52/56/862/smn_/manual/sot323.jpg_472149771.jpg)
BSS84PWH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS84PWH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS84PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 150 mA, 4.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSS84PWH6327XTSA1 за ціною від 1.8 грн до 27.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS84PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 162000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS84PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS84PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 162000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS84PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS84PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19.1 pF @ 25 V |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS84PWH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 171020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS84PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS84PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 35935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS84PWH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 171020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS84PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS84PWH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.15A Power dissipation: 0.3W Case: PG-SOT-323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.37nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
на замовлення 7054 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS84PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19.1 pF @ 25 V |
на замовлення 21964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS84PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 266227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS84PWH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.15A Power dissipation: 0.3W Case: PG-SOT-323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.37nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7054 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
BSS84PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 730 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|