![BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2013/11/5/1/39/8/434/smn_/manual/tle49613mxtsa1.jpg)
BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies
на замовлення 1508500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SIPMOS Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції BSS84PH6327XTSA2 за ціною від 1.83 грн до 28.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS84PH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1506000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84PH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1506000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84PH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V |
на замовлення 381000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84PH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1464000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84PH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 70883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84PH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84PH6327XTSA2 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 1162913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84PH6327XTSA2 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 1162913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84PH6327XTSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.14A Power dissipation: 0.36W Case: PG-SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.37nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2298 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84PH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84PH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V |
на замовлення 382401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84PH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 230631 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84PH6327XTSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.14A Power dissipation: 0.36W Case: PG-SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.37nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2298 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
BSS84PH6327XTSA2 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 19951 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS84PH6327XTSA2 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS84PH6327XTSA2 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS84PH6327XTSA2 | Виробник : Infineon |
![]() |
на замовлення 220 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
BSS84PH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
BSS84PH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |