![BSS84AKS,115 BSS84AKS,115](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/2/15/5/45/16/184/nexpe_/manual/sot363_3d.jpg)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
114+ | 2.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS84AKS,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS84AKS,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 160 mA, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160mA, hazardous: true, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.5ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 445mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSS84AKS,115 за ціною від 2.87 грн до 30.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS84AKS,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKS,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKS,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 441000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKS,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKS,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 441000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKS,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160mA hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 445mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 29950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 445mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKS,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKS,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKS,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 445mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 56085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKS,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 445mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 56085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKS,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.1A; 445mW Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.1A Power dissipation: 445mW Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKS,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.1A; 445mW Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.1A Power dissipation: 445mW Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 490 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 445mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 53085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKS,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 44214 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKS,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKS,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BSS84AKS,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |