![BSS84,215 BSS84,215](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2021/2/10/11/33/44/847541/nexpe_/manual/nxv65upr.jpg)
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS84,215 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS84,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BSS84,215 за ціною від 1.48 грн до 21.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS84,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 19074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 342000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 342000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 342000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 555000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 19074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 351000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 130mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V |
на замовлення 177000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 362970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 362970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 129090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 33107 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 33107 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1514335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 130mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V |
на замовлення 178522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
BSS84,215 | Виробник : NXP |
![]() кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS84,215 | Виробник : NXP/Nexperia/We-En |
![]() |
на замовлення 13 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |