Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS83PH6327XTSA1
BSS83PH6327XTSA1

BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies

487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.58 грн
9000+ 5.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 330mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSS83PH6327XTSA1 за ціною від 4.21 грн до 26.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSS83P%20H6327.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.71 грн
6000+ 6.19 грн
9000+ 5.58 грн
30000+ 5.15 грн
75000+ 4.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.08 грн
9000+ 5.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS30555-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+11.65 грн
500+ 7.19 грн
1500+ 6.5 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS83PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+21.89 грн
21+ 17.42 грн
50+ 12.41 грн
100+ 10.38 грн
191+ 4.5 грн
527+ 4.21 грн
Мінімальне замовлення: 18
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS30555-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+23.06 грн
50+ 17.36 грн
100+ 11.65 грн
500+ 7.19 грн
1500+ 6.5 грн
Мінімальне замовлення: 34
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
515+23.47 грн
553+ 21.85 грн
1000+ 18.33 грн
2000+ 16.7 грн
9000+ 7.11 грн
Мінімальне замовлення: 515
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSS83P%20H6327.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
на замовлення 112927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+24.88 грн
16+ 18.58 грн
100+ 11.15 грн
500+ 9.69 грн
1000+ 6.59 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS83PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.27 грн
13+ 21.71 грн
50+ 14.9 грн
100+ 12.46 грн
191+ 5.4 грн
527+ 5.05 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSS83P_Rev1_6-3360553.pdf MOSFETs P-Ch SOT-23-3
на замовлення 130891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+26.51 грн
16+ 20.52 грн
100+ 9.9 грн
1000+ 6.76 грн
3000+ 5.92 грн
9000+ 5.3 грн
24000+ 5.23 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSS83PH6327XTSA1 Виробник : Infineon BSS83P%20H6327.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; BSS83PH6327XTSA1 TBSS83p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS83PH6327XTSA1 Виробник : Infineon BSS83P%20H6327.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; BSS83PH6327XTSA1 TBSS83p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 9337 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS83PH6327XTSA1 Виробник : Infineon BSS83P%20H6327.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; BSS83PH6327XTSA1 TBSS83p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS83PH6327XTSA1 Виробник : Infineon BSS83P%20H6327.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; BSS83PH6327XTSA1 TBSS83p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній