на замовлення 37138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 27.24 грн |
| 15+ | 21.4 грн |
| 100+ | 12.68 грн |
| 1000+ | 7.39 грн |
| 3000+ | 6.2 грн |
| 9000+ | 5.71 грн |
| 24000+ | 5.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS83P H6327 Infineon Technologies
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -330mA; 360mW; SOT23, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -330mA, Power: 0.36W, Case: SOT23, On-state resistance: 2Ω, Mounting: SMD.
Інші пропозиції BSS83P H6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BSS83P H6327 | Виробник : Infineon |
на замовлення 201000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
 |
BSS83PH6327 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -330mA; 360mW; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -330mA Power: 0.36W Case: SOT23 On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD |
товар відсутній |