Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS816NWH6327XTSA1
BSS816NWH6327XTSA1

BSS816NWH6327XTSA1 Infineon Technologies

bss816nw_rev2.3_.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS816NWH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.107 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSS816NWH6327XTSA1 за ціною від 2.07 грн до 28.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss816nw_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3741+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 3741
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss816nw_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3410+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 3410
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss816nw_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.96 грн
9000+ 3.34 грн
24000+ 3.3 грн
45000+ 2.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss816nw_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 7266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2858+4.22 грн
2947+ 4.09 грн
2989+ 4.03 грн
Мінімальне замовлення: 2858
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss816nw_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.27 грн
9000+ 3.6 грн
24000+ 3.55 грн
45000+ 2.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS816NW-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e704a2e1332 Description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.62 грн
6000+ 4.25 грн
9000+ 3.68 грн
30000+ 3.39 грн
75000+ 2.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss816nw_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2416+4.99 грн
2614+ 4.61 грн
2632+ 4.58 грн
12000+ 4.37 грн
Мінімальне замовлення: 2416
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS17471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.107 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 52364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+5.51 грн
1500+ 4.98 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS816NWH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 0.24Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Case: SOT323
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
на замовлення 4094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
32+12.62 грн
38+ 9.66 грн
52+ 7.18 грн
60+ 6.19 грн
100+ 5.35 грн
276+ 3.08 грн
758+ 2.91 грн
Мінімальне замовлення: 32
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS816NWH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 0.24Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Case: SOT323
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4094 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+15.14 грн
23+ 12.04 грн
31+ 8.61 грн
50+ 7.43 грн
100+ 6.42 грн
276+ 3.69 грн
758+ 3.49 грн
Мінімальне замовлення: 19
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss816nw_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
33+18.5 грн
47+ 12.75 грн
100+ 6.73 грн
250+ 6.17 грн
500+ 5.87 грн
1000+ 4.49 грн
3000+ 3.2 грн
6000+ 2.56 грн
Мінімальне замовлення: 33
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS17471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.107 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 52364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
41+19.24 грн
57+ 13.88 грн
100+ 8.44 грн
500+ 5.51 грн
1500+ 4.98 грн
Мінімальне замовлення: 41
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS816NW-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e704a2e1332 Description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 115497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.85 грн
17+ 17.28 грн
100+ 8.73 грн
500+ 6.69 грн
1000+ 4.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS816NW_DS_v02_03_en-1731310.pdf MOSFETs N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3
на замовлення 37279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+28.21 грн
20+ 16.65 грн
100+ 6.96 грн
1000+ 5.13 грн
3000+ 3.94 грн
9000+ 3.3 грн
45000+ 2.81 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS816NWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Infineon-BSS816NW-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e704a2e1332 N-MOSFET 20V 1.4A 160mΩ 500mW BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327 Infineon TBSS816nw
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSS816NWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Infineon-BSS816NW-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e704a2e1332 N-MOSFET 20V 1.4A 160mΩ 500mW BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327 Infineon TBSS816nw
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss816nw_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній