BSS806NH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS806NH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS806NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSS806NH6327XTSA1 за ціною від 3.94 грн до 45.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V |
на замовлення 522000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS806NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 28276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V |
на замовлення 528300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3 |
на замовлення 34059 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS806NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 28276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Power dissipation: 0.5W On-state resistance: 82mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.3A |
на замовлення 7206 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Power dissipation: 0.5W On-state resistance: 82mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.3A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7206 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
N-MOSFET 20V 2.3A 57mΩ 500mW BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327 Infineon TBSS806n кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS806NH6327XTSA1 Код товару: 154371 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |