Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS806NEH6327XTSA1
BSS806NEH6327XTSA1

BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies

4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSS806NEH6327XTSA1 за ціною від 3.77 грн до 32.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS806NE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340f610c201410d1548de3366 Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.1 грн
6000+ 5.74 грн
9000+ 5.09 грн
30000+ 4.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS806NEH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 82mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
55+7.11 грн
100+ 5.74 грн
211+ 4.07 грн
578+ 3.77 грн
Мінімальне замовлення: 55
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS806NEH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 82mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
33+8.54 грн
100+ 7.15 грн
211+ 4.88 грн
578+ 4.53 грн
3000+ 4.44 грн
Мінімальне замовлення: 33
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS29209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS806NEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 13210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+10.48 грн
500+ 7.91 грн
1000+ 5.63 грн
5000+ 4.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1133+10.67 грн
1144+ 10.57 грн
1177+ 10.27 грн
1520+ 7.67 грн
3000+ 4.35 грн
Мінімальне замовлення: 1133
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS806NE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340f610c201410d1548de3366 Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 64185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.14 грн
16+ 18.87 грн
100+ 9.52 грн
500+ 7.92 грн
1000+ 6.16 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
441+27.42 грн
673+ 17.97 грн
736+ 16.43 грн
769+ 15.16 грн
1061+ 10.18 грн
2000+ 8.8 грн
3000+ 8.74 грн
Мінімальне замовлення: 441
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+29.05 грн
29+ 20.79 грн
100+ 9.56 грн
250+ 8.76 грн
500+ 8.17 грн
1000+ 6.33 грн
3000+ 3.88 грн
Мінімальне замовлення: 21
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS806NE_DS_v02_01_en-1226303.pdf MOSFETs N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
на замовлення 42479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+29.51 грн
17+ 19.48 грн
100+ 8.01 грн
1000+ 6.27 грн
3000+ 5.44 грн
9000+ 4.88 грн
24000+ 4.53 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS29209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS806NEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 13210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+32.52 грн
34+ 23.69 грн
100+ 10.48 грн
500+ 7.91 грн
1000+ 5.63 грн
5000+ 4.96 грн
Мінімальне замовлення: 25
BSS806NEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Infineon-BSS806NE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340f610c201410d1548de3366 Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 82mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS806NEH6327XTSA1; BSS806NEH6327; BSS806NEH6327XTSA1 TBSS806ne
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS806NEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Infineon-BSS806NE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340f610c201410d1548de3366 N-MOSFET 20V 2.3A 57mΩ 500mW BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327 Infineon TBSS806n
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній