![BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2013/11/5/1/39/8/434/smn_/manual/tle49613mxtsa1.jpg)
BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 159000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS670S2LH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.346 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 540mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.346ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSS670S2LH6327XTSA1 за ціною від 2.76 грн до 30.02 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS670S2LH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS670S2LH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS670S2LH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS670S2LH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS670S2LH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS670S2LH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 11900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS670S2LH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS670S2LH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.346ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 44234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS670S2LH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.346ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 44234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS670S2LH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 0.54A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
на замовлення 7874 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS670S2LH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS670S2LH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V |
на замовлення 31420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS670S2LH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 55874 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS670S2LH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 0.54A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7874 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|