![BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2013/11/5/1/39/8/434/smn_/manual/tle49613mxtsa1.jpg)
BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 3.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS314PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.107 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSS314PEH6327XTSA1 за ціною від 3.89 грн до 31.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS314PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS314PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS314PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS314PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS314PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS314PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS314PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS314PEH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 41312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS314PEH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 41312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS314PEH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23 Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ P3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.5A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Case: PG-SOT23 |
на замовлення 2277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS314PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V |
на замовлення 45570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS314PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS314PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS314PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 408336 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS314PEH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23 Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ P3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.5A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Case: PG-SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2277 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
BSS314PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2435 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|