![BSS138WT106 BSS138WT106](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/3341610e018541881183760184b84c9019292e11/rju003n03frat106.jpg)
BSS138WT106 Rohm Semiconductor
на замовлення 2699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2280+ | 5.29 грн |
2500+ | 5.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS138WT106 Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 310MA, SOT-323, SMALL SI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 310mA, 10V, Power Dissipation (Max): 200mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA, Supplier Device Package: UMT3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 30 V.
Інші пропозиції BSS138WT106 за ціною від 4.29 грн до 41.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS138WT106 | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS138WT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS138WT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 310mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 30 V |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS138WT106 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2003 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS138WT106 | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS138WT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 310mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 30 V |
товар відсутній |