BSS138DWQ-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS138DWQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.4 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 13.06 грн |
| 500+ | 9.85 грн |
| 1000+ | 6.92 грн |
| 5000+ | 6.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS138DWQ-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS138DWQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.4 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 200mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 200mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSS138DWQ-13 за ціною від 6.14 грн до 35.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS138DWQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS138DWQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs BSS Family |
на замовлення 99700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS138DWQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS138DWQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.4 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 200mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS138DWQ-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BSS138DWQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSS138DWQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |