![BSS138BKW,115 BSS138BKW,115](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5552/1727%7ESOT23%7E%7E3-Top.jpg)
BSS138BKW,115 Nexperia USA Inc.
![BSS138BKW.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 249000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 3.02 грн |
6000+ | 2.78 грн |
9000+ | 2.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS138BKW,115 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V, Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BSS138BKW,115 за ціною від 2.3 грн до 26.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS138BKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 24345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 24345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BKW,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 320mA hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 260mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BKW,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 320mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 260mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 11247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BKW,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 320mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 260mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 11247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BKW,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 310mW; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.31W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2618 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BKW,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 252173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 411110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BKW,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 310mW; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.31W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2618 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
BSS138BKW,115 | Виробник : NXP |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2790 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BKW,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |