![BSS138BK,215 BSS138BK,215](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2021/2/10/11/33/44/847541/nexpe_/manual/nxv65upr.jpg)
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS138BK,215 NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 350mA, 10V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BSS138BK,215 за ціною від 1.56 грн до 27.24 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS138BK,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BK,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BK,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 447000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BK,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 22659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BK,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 22659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BK,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 456000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BK,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 838288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BK,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 838288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BK,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.36A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 26277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BK,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 459568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BK,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.36A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26277 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BK,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 123879 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
BSS138BK,215 | Виробник : NXP |
![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 25480 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS138BK,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BK,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BK,215 Код товару: 131639 |
Виробник : Nexperia |
![]() Uds,V: 60 V Idd,A: 0,36 A Rds(on), Ohm: 1,6 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 42/0,6 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|