BSS138-7-F DIODES INCORPORATED
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
34+ | 11.57 грн |
44+ | 8.16 грн |
77+ | 4.65 грн |
100+ | 3.90 грн |
500+ | 2.63 грн |
546+ | 1.54 грн |
1500+ | 1.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS138-7-F DIODES INCORPORATED
Description: MULTICOMP PRO - BSS138-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Field Effect Transistors N-Channel, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Можливі заміни BSS138-7-F DIODES INCORPORATED
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSS138 Код товару: 197212 |
Виробник : UMW |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 50 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/ Монтаж: SMD |
у наявності: 18542 шт
16115 шт - склад
461 шт - РАДІОМАГ-Київ 500 шт - РАДІОМАГ-Львів 496 шт - РАДІОМАГ-Харків 500 шт - РАДІОМАГ-Одеса 470 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції BSS138-7-F за ціною від 1.10 грн до 13.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSS138 (Diodes, SOT-23) Код товару: 125280 |
Виробник : Diodes |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 50 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/- Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Виробник : Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 135000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - BSS138-7-F - MOSFET, N CHANNEL, 50V, 1.4OHM, 200mA, SOT-23-3, FULL REEL tariffCode: 85412100 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 0 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Field Effect Transistors N-Channel productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 366000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 26469000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 25587000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 25473000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27003000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 25932000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1548000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3657000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1548000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3657000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V |
на замовлення 25617000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS138-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 469328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS138-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 469328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFETs 300mW 50V DSS |
на замовлення 212728 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V |
на замовлення 25618211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3251 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - BSS138-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Field Effect Transistors N-Channel productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - BSS138-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Field Effect Transistors N-Channel productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Виробник : Diodes Incorporated | N-кан. MOSFET 50V, 0.2A, 0.225Вт, 3.5Ом, SOT-23 (SMD) |
на замовлення 35 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Виробник : Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |