на замовлення 348000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 3.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS127S-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - BSS127S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 610mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 610mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 80ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції BSS127S-7 за ціною від 3.82 грн до 33.12 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSS127S-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 348000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS127S-7 | Виробник : Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS127S-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS127S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 610mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 80ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 7990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS127S-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS127S-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 600V 50MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V |
на замовлення 177000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS127S-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS127S-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS127S-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS127S-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.07A; 0.61W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.61W On-state resistance: 160Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 600V Drain current: 70mA |
на замовлення 2889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS127S-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS127S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 7990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS127S-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.07A; 0.61W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.61W On-state resistance: 160Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 600V Drain current: 70mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2889 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS127S-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS127S-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 600V 50MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V |
на замовлення 180912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS127S-7 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 600V 160Ohm 70mA |
на замовлення 37716 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS127S-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |