Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP88E6327

BSP88E6327 Infineon Technologies

Name: BSP88E6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: 12545827-3
Price: 13.95 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 25 V

на замовлення 259952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1484+	13.95 грн

Мінімальне замовлення: 1484

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BSP88E6327 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 108µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 25 V.

Інші пропозиції BSP88E6327

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	BSP88E6327	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 25 V	товар відсутній
	BSP88 E6327	Виробник : Infineon Technologies	MOSFET	товар відсутній