![BSP75N BSP75N](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3SOT223-40.jpg)
BSP75N DIODES INC.
![1678500.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODES INC. - BSP75N - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 17436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 82.87 грн |
200+ | 76.22 грн |
500+ | 69.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP75N DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSP75N - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSP75N за ціною від 29.92 грн до 145.41 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSP75N | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 17436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
BSP75N | Виробник : Infineon | ИМС SOT-223 Low Side Switch Power |
на замовлення 300 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
BSP75N Код товару: 24969 |
Виробник : Infineon |
Мікросхеми > Ключі інтелектуальні, мультиплексори аналогові Корпус: SOT-223 Функціональний опис: Power Distribution Smart Low Side 1 Ch Напр.живлення: 60 V Темп.діапазон: -40...+150°C Примітка: Infineon_BSP75N-191426 |
товар відсутній
|
|||||||||||||
![]() |
BSP75N | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
BSP75N | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
BSP75N | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
BSP75N | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; low-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 0.7A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SOT223 On-state resistance: 0.5Ω Technology: HITFET® Power dissipation: 1.8W |
товар відсутній |