BSP31,115 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BSP31 - POWER BIPOL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 4139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1989+ | 10.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP31,115 NXP USA Inc.
Description: NEXPERIA - BSP31,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BSP31,115 за ціною від 9.8 грн до 55.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSP31,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 1300mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP31,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 1.3W; SC73,SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SC73; SOT223 Frequency: 100MHz Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 30...300 Collector current: 1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 1.3W Polarisation: bipolar |
на замовлення 1061 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP31,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 1.3W; SC73,SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SC73; SOT223 Frequency: 100MHz Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 30...300 Collector current: 1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 1.3W Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1061 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP31,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSP31,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP31,115 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BSP31/SOT223/SC-73 |
на замовлення 2806 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP31,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSP31,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|