![BSP225,115 BSP225,115](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/ecd346c486f9d812ab95cad4f375371042d415ac/sot223_3d.jpg)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 15.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP225,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BSP225,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 200 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSP225,115 за ціною від 14.18 грн до 53.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSP225,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP225,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP225,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP225,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP225,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP225,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 4141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP225,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 4141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP225,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP225,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223 Power dissipation: 1.5W Kind of package: reel; tape Case: SC73; SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: -250V Drain current: -0.225A On-state resistance: 15Ω Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP225,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V |
на замовлення 7834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP225,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 7993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP225,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223 Power dissipation: 1.5W Kind of package: reel; tape Case: SC73; SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: -250V Drain current: -0.225A On-state resistance: 15Ω Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 518 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP225,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP225,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BSP225,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |