на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 16.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP220,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BSP220,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 200 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSP220,115 за ціною від 16.74 грн до 75.35 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSP220,115 | Виробник : NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP220,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP220,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP220,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP220,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP220,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSP220,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 200 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP220,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSP220,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 200 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP220,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V |
на замовлення 6495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP220,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223 Mounting: SMD Drain current: -0.225A On-state resistance: 12Ω Type of transistor: P-MOSFET Case: SC73; SOT223 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.5W Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -220V |
на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP220,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223 Mounting: SMD Drain current: -0.225A On-state resistance: 12Ω Type of transistor: P-MOSFET Case: SC73; SOT223 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.5W Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -220V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1430 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP220,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BSP220,115 | Виробник : Nexperia | MOSFET BSP220/SOT223/SC-73 |
товар відсутній |