Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP149H6906XTSA1
BSP149H6906XTSA1

BSP149H6906XTSA1 Infineon Technologies

bsp149_rev2.1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8000+36.51 грн
Мінімальне замовлення: 8000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP149H6906XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V.

Інші пропозиції BSP149H6906XTSA1 за ціною від 31.69 грн до 95.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSP149H6906XTSA1 BSP149H6906XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+36.6 грн
2000+ 36.41 грн
10000+ 35.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP149H6906XTSA1 BSP149H6906XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+39.3 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP149H6906XTSA1 BSP149H6906XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+39.42 грн
2000+ 39.21 грн
10000+ 38.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP149H6906XTSA1 BSP149H6906XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
212+57.19 грн
213+ 56.9 грн
243+ 49.76 грн
250+ 47.7 грн
500+ 36.89 грн
1000+ 34.77 грн
3000+ 34.12 грн
Мінімальне замовлення: 212
BSP149H6906XTSA1 BSP149H6906XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+58.11 грн
12+ 53.1 грн
25+ 52.84 грн
100+ 44.56 грн
250+ 41.01 грн
500+ 32.89 грн
1000+ 32.29 грн
3000+ 31.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSP149H6906XTSA1 BSP149H6906XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP149_DS_v02_01_en-1226393.pdf MOSFETs N-Ch 200V 140mA SOT-223-3
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.5 грн
10+ 72.93 грн
100+ 48.99 грн
500+ 42.09 грн
1000+ 42.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSP149H6906XTSA1 BSP149H6906XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSP149H6906XTSA1 BSP149H6906XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSP149H6906XTSA1 BSP149H6906XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depleted
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
BSP149H6906XTSA1 BSP149H6906XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
товар відсутній
BSP149H6906XTSA1 BSP149H6906XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depleted
товар відсутній