Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP149H6327XTSA1
BSP149H6327XTSA1

BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp149_rev2.1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSP149H6327XTSA1 за ціною від 25.03 грн до 105.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+33.8 грн
2000+ 32.35 грн
5000+ 31.98 грн
10000+ 25.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+35.34 грн
2000+ 33.63 грн
5000+ 33.25 грн
10000+ 26.8 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+36.4 грн
2000+ 34.84 грн
5000+ 34.43 грн
10000+ 26.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+38.06 грн
2000+ 36.22 грн
5000+ 35.81 грн
10000+ 28.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+38.2 грн
2000+ 34.63 грн
5000+ 32.98 грн
10000+ 29.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP149H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+59.21 грн
200+ 50.81 грн
500+ 42.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP149H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depleted
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+79.63 грн
9+ 43.93 грн
23+ 38.8 грн
62+ 36.61 грн
1000+ 35.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
148+81.66 грн
157+ 76.94 грн
190+ 63.48 грн
200+ 58.31 грн
500+ 48.07 грн
1000+ 40.64 грн
Мінімальне замовлення: 148
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.67 грн
10+ 68.53 грн
100+ 53.27 грн
500+ 42.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP149_DS_v02_01_en-1226393.pdf MOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
на замовлення 14431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.3 грн
10+ 76.71 грн
100+ 51.66 грн
500+ 43.79 грн
1000+ 33.53 грн
2000+ 32.33 грн
5000+ 31.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP149H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depleted
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+95.56 грн
5+ 54.74 грн
23+ 46.56 грн
62+ 43.93 грн
1000+ 42.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP149H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+105.65 грн
10+ 81.21 грн
50+ 59.21 грн
200+ 50.81 грн
500+ 42.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSP149H6327XTSA1 Виробник : Infineon Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c N-MOSFET 660mA 200V 1.8W 1.8 Ohm BSP149H6327XTSA1 BSP149 TBSP149
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+49.1 грн
Мінімальне замовлення: 20
BSP149H6327XTSA1 Виробник : Infineon Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c N-MOSFET 660mA 200V 1.8W 1.8 Ohm BSP149H6327XTSA1 BSP149 TBSP149
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+55.1 грн
Мінімальне замовлення: 10