![BSP129H6906XTSA1 BSP129H6906XTSA1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/f00b4f8279a0ca2063303af5255cf6027307d91/infineon-package-sot-223-3pin.jpg)
BSP129H6906XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 34428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
407+ | 30.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP129H6906XTSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V.
Інші пропозиції BSP129H6906XTSA1 за ціною від 24.75 грн до 92.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSP129H6906XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 34428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSP129H6906XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10015 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSP129H6906XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.35A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of channel: depleted |
на замовлення 109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSP129H6906XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.35A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of channel: depleted кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 109 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSP129H6906XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSP129H6906XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSP129H6906XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
BSP129H6906XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
BSP129H6906XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
BSP129H6906XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V |
товар відсутній |