BSM75GD120DLCBOSA1 Infineon Technologies
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 6241.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM75GD120DLCBOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 125A 500W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 125 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 500 W, Current - Collector Cutoff (Max): 92 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.1 nF @ 25 V.
Інші пропозиції BSM75GD120DLCBOSA1 за ціною від 6722.11 грн до 30935.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSM75GD120DLCBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 125A 500W 19-Pin ECONO3 |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| BSM75GD120DLCBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 125A 500W 19-Pin ECONO3 |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| BSM75GD120DLCBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 125A 500W 19-Pin ECONO3 |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| BSM75GD120DLCBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 125A 500000mW 19-Pin ECONO3 |
товар відсутній |
||||||
| BSM75GD120DLCBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 125A 500W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 125 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 500 W Current - Collector Cutoff (Max): 92 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.1 nF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||
| BSM75GD120DLCBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER ECONO |
товар відсутній |