BSM600D12P4G103 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - BSM600D12P4G103 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 567 A, 1.2 kV, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 567A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.78kW
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 99188.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM600D12P4G103 ROHM
Description: ROHM - BSM600D12P4G103 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 567 A, 1.2 kV, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 567A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.78kW, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: 11Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції BSM600D12P4G103 за ціною від 103150.26 грн до 103150.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSM600D12P4G103 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Modules BSM600D12P4G103 is a half bridge module consisting of SiC-UMOSFET |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
| BSM600D12P4G103 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 1200V, 567A, HALF BRIDGE, FULL S Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 1.78kW (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 567A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59000pF @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 291.2mA Supplier Device Package: Module |
товар відсутній |