BSM600C12P3G201 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - BSM600C12P3G201 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 600 A, 1.2 kV, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.46kW
Anzahl der Pins: -Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: -V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 69709.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM600C12P3G201 ROHM
Description: ROHM - BSM600C12P3G201 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 600 A, 1.2 kV, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.46kW, Anzahl der Pins: -Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Rds(on)-Prüfspannung: -V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm.
Інші пропозиції BSM600C12P3G201 за ціною від 87174.37 грн до 107016.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSM600C12P3G201 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1200V Vdss; 576A ID SiC Mod; SICSTD02 |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSM600C12P3G201 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 1200V 600A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc) Power Dissipation (Max): 2460W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 182mA Supplier Device Package: Module Part Status: Active Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 10 V |
товар відсутній |