Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSM35GD120DLCE3224BOSA1

BSM35GD120DLCE3224BOSA1 Infineon Technologies


nods.pdf Виробник: Infineon Technologies
High Reliability IGBT Modules IC
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSM35GD120DLCE3224BOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 70A 280W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 35A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 70 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 280 W, Current - Collector Cutoff (Max): 80 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V.

Інші пропозиції BSM35GD120DLCE3224BOSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSM35GD120DLCE3224BOSA1 Виробник : Infineon Technologies Description: IGBT MOD 1200V 70A 280W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 80 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
товар відсутній