![BSH203,215 BSH203,215](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2019/1/8/15/1/27/140273/nexpe_/manual/sot23_3d.jpg)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSH203,215 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH203,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 470 mA, 0.66 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 470mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 680mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSH203,215 за ціною від 4.46 грн до 39.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSH203,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH203,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH203,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH203,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH203,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 280mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 417mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 680mV @ 1mA (Typ) Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 24 V |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH203,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH203,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.3A; 170mW; SOT23,TO236AB Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -300mA On-state resistance: 1.65Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.17W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 2.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB |
на замовлення 4014 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH203,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.3A; 170mW; SOT23,TO236AB Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -300mA On-state resistance: 1.65Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.17W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 2.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 4014 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH203,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH203,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH203,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 280mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 417mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 680mV @ 1mA (Typ) Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 24 V |
на замовлення 70429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH203,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 217165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH203,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 470mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 680mV euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 124525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH203,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
BSH203,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |